ARM发力7nm 手机Soc主频也要迈上3GHz了?

ARM今天宣布与IMEC（欧洲微电子研究中心）深化合作，而ARM将会加入代号为INSITE的项目。有消息还显示，本次合作的重点是7nm及以上的半导体芯片（这里的以上应该指的是5nm）。而根据先前曝光的消息指出，在今天的10月~12月，台积电会量产10nm FinFET制程工艺的芯片，估计会应用在Helio X30以及麒麟970上面。

　　综合先前的所有消息看来，Helio X30基于10nm制程打造，依然使用了三丛集共10核心的设计，架构方面会是2个2.8GHz的A7x（6月份的时候联发科CTO周渔君表示，A73以后一定会用，所以应该会是高频的A72），4个2.2GHz的A53+4个2.0GHz的A53，GPU方面预计会使用到定制的PowerVR 7系列，而基带则支持到Cat 10。而RAM方面，Helio X30会支持LPDDR4，ROM也支持到UFS的接口。
　　再看一下我们现在常用处理器的制程:

热门处理器制程一览表
	制程
高通
骁龙820	14nm
骁龙810	20nm
骁龙808	20nm
骁龙650/652	28nm
骁龙617	28nm
骁龙615	28nm
联发科
Helio X20	20nm
Helio P20	16nm
Helio X10	28nm
Helio P10	28nm
MT6753	28nm
三星
Exynos 8890	14nm
Exynos 7420	14nm
苹果
A9	16/14nm
海思
麒麟950	16nm
麒麟930	28nm

　　相信在10nm/7nm制程以及相关工艺普及之后，Soc的最高核心主频会突破3.0GHz，而A53这类的小核预计也会在2.5GHz以上。