本帖最后由 浮梦清欢 于 2020-6-13 19:43 编辑
大家好,我是浮梦清欢。今天的【清欢茶谈】我们不聊手机部件,我们来讲造手机“大脑”的机器——光刻机
在一段时间之前,14nm制程的“真国产芯片”华为海思麒麟710A在中芯国际正式宣布下线,这意味着我国在芯片领域取得重大突破,意味着我国首个自主研制,自主制造,自主生产的最先进的芯片正式诞生!虽然制程只有14nm,但依旧是我国芯片领域取得重大突破的一个表现。那么我们今天就来聊聊制造芯片的机器——光刻机
光刻机也叫紫外曝光机(Mask Aligner),专业点,叫做掩摸对准曝光机。因为常用的光刻机是掩摸对准光刻,所以叫做Mask Alignment System。其光刻过程一般分为硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻胶、软烘、对准曝光、后烘、显影、硬烘、蚀刻等工序。那么光刻的意思就是用光来制作一个图形(工艺),其一般使用的都是波长350-450nm的光源。
全球最知名的光刻机厂商应该就是荷兰的ASML公司了,其主要制作高端光刻机(如可以制造7nm/5nm EUV工艺的光刻机),还有日本尼康(Nikon)公司,日本佳能(Canon)公司,我国主要的生产光刻机的公司是上海微电子设备有限公司(SMEE),主要制造中端投影光刻机
1977年,我国高考制度恢复。也是在这一年,我国的最早的光刻机——JKG-3(GK-3)型光刻机,也是一台半自动型光刻机诞生,这是一台接触式光刻机。
1978年,我国在邓小平主席的领导下,实行了伟大的改革开放政策,也正是那一年,我国光刻机再次取得新进展,1455所在GK-3型光刻机的基础上,研制了GK-4型光刻机。并且将加工圆片的直从50mm增加到了75mm,并且提高了自动化程度,但是依旧属于接触式光刻机。
在同年,我国还在研制JK-1型半自动接近式光刻机,1981年正式产出两台样机。
同时,我国也已经意识到了分步投影光刻技术的优点,但局限于国内的生产工艺水平,很难实现。
1982年,我国109院成功研制了KHA-75-1型光刻机,与当时最先进的日本佳能公司的技术相差最多不到4年的水平。1985年。机电部45所研制出了分步光刻机样机,据资料显示,这应是中国第一台分步投影式光刻机,与当时国外差距不超过7年。在当时六七十年代,中国半导体行业的水平仅次于美国,并且1979年我国成功防止Intel的8080CPU,早于德国一年。
1984年,日后的光刻机霸主、荷兰的ASML公司诞生了。到了80年代底,我国开始奉行“造不如买”的政策,抛弃了独立自主、自力更生的方针,中国光刻机研制自此开始,停滞不前。从90年代到2002年,我国光刻机行业依旧没有太大进展,当我国开始193nm的ArF光刻机项目时,ASML已经开始研发EUV光刻机了。
15年4月,北京华卓精科科技股份有限公司制造了“65nmArF干式光刻机双工件台”,成功打破了ASML在这项技术的垄断。17年6月21日,中国科学院长春光学精密机械与物理研究所带头研发的“极紫外光刻关键技术”通过验收。18年1月29日,中国科学院成功研制“超分率光刻设备”,结合双重曝光技术,将来可用于制造10nm的芯片。
目前,中芯国际生产华为海思麒麟710A芯片的光刻机依旧由ASML公司制造的14nm制程的光刻机,所以想要真正做到真正意义上的“芯片纯国产”,我国还有很长一段路要走。纵使成功研发出先进的光刻机,我们也不能骄傲,还需脚踏实地地走。
在当今的局势面前,芯片已然不是以前的芯片,它更代表着一个国家的科技水平与实力,我们在光刻机这方面还有很长一段路要走,不能在高新技术上被人“卡脖子”,斗则只会沦为其他国家欺负的对象。光刻机,已然不是一种产品,更是一个国家,最顶尖技术与生产力的象征,是各领域顶尖专家齐心钻研的共同结果 吾辈当自强
我是浮梦清欢,我们下期再见。
(因涉及到历史发展与诸多问题,文章内参考了部分文献和文章)
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